1萬(wàn)億次寫(xiě)入壽命 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90%
今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究，讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點(diǎn)。
三星量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲(chǔ)，擴(kuò)展性非常好，在非易失性、隨機(jī)訪問(wèn)、壽命耐久性等方面也遠(yuǎn)勝傳統(tǒng)RAM。由于不需要在寫(xiě)入數(shù)據(jù)前進(jìn)行擦除循環(huán)，eMRAM的寫(xiě)入速度可以達(dá)到eFlash的大約一千倍，而且電壓、功耗低得多，待機(jī)狀態(tài)下完全不會(huì)耗電，因此能效極高。
在8Mb eMRAM內(nèi)存之后，三星最近已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)1Gb容量的eMRAM內(nèi)存，依然使用了28nm FD-SOI工藝，最新良率已經(jīng)達(dá)到了90%，使得eMRAM內(nèi)存實(shí)用性大大提升。
盡管1Gb的容量、性能依然遠(yuǎn)不如現(xiàn)在的內(nèi)存及閃存，但是eMRAM內(nèi)存超強(qiáng)的壽命、可靠性是其他產(chǎn)品不具備的，這款eMRAM內(nèi)存在105°C高溫下依然能夠擦寫(xiě)1億次，85°C高溫下壽命高達(dá)100億次。
如果不是那么苛刻的溫度環(huán)境，而是日常使用環(huán)境，那么eMRAM內(nèi)存的擦寫(xiě)次數(shù)高達(dá)1萬(wàn)億次，已經(jīng)沒(méi)可能寫(xiě)死了。
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